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TK3P50D | MOSFET CANAL N 500V 3A DPAK-3

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TK3P50D | MOSFET CANAL N 500V 3A DPAK-3

TK3P50D | MOSFET CANAL N 500V 3A DPAK-3

TK3P50D | MOSFET CANAL N 500V 3A DPAK-3
Transistor Mosfet de ósido metálico, canal N 500V 3A, encapsulado DPAK-3
$ 53.26
TOSHIBA
Código:

T0000792


Número de Parte:

TK3P50D


Tiempo de entrega: De 18 a 21 Días
Unidad de Medida: Piezas
Categoría:

Transistores

Precios por Volumen

Cantidad
Precio por Unidad
1
$ 53.26
4
$ 50.59
8
$ 47.93
Precios en Pesos Mexicanos, Incluyen IVA

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Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 1.5 A, 10 V
Vgs(td) (máx.) en Id 4.4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 7 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 280 pF a 25 V
Potencia máxima 60 W
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak



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