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IXFN32N120P | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

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IXFN32N120P | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

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IXFN32N120P | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Transistor MosFet de alta potencia 1200V 32A encapsulado SOT-227B
$ 1,395.78
IXYS
Código:

T0000732


Número de Parte:

IXFN32N120P


Tiempo de entrega: De 18 a 21 Días
Unidad de Medida: Piezas
Categoría:

Transistores

Precios por Volumen

Cantidad
Precio por Unidad
12
$ 1,395.78
Precios en Pesos Mexicanos, Incluyen IVA

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Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 32 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 310 mOhm a 500 mA, 10 V
Vgs(td) (máx.) en Id 6.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 360 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 21000 pF a 25 V
Potencia máxima 1000 W
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) SOT-227-4, miniBLOC



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12
$ 1,395.780
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