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FL9110 | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

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FL9110 | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

FL9110 | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

FL9110 | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Transistor fabricado en óxido metálico tipo MosFet, Canal P 1.1A 100V, Encapsulado TO-261AA montaje superficial.
$ 31.56
VISHAY
Código:

T0000564


Número de Parte:

FL9110


Tiempo de entrega: De 18 a 21 Días
Unidad de Medida: Piezas
Categoría:

Transistores

Precios por Volumen

Cantidad
Precio por Unidad
1
$ 31.56
10
$ 23.38
25
$ 18.70
Precios en Pesos Mexicanos, Incluyen IVA

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Tipo FET MOSFET Canal P, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.1 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 660 mA, 10 V
Vgs(td) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 8.7 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 200 pF a 25 V
Potencia máxima 2 W
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA



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