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Transistor de tecnología IGBT, chip para montaje superficial TO-263, Canal N 600V 20A 3-Pin(2+Tab)
Circuito Integrado cuasi-resonante PWM fuera de la línea de mando a SMPS, con CoolMOS 800V integrado y celda de arranque DSO-16/12
Controlador Off-line en modo de corriente, con circuito integrado CoolMOS y celda de arranque en DIP 8
IGBT fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
Transistor MosFet Canal N 600V 20Amp 150W SMD CoolMOS C6 Power
Transistor IGBT NPT 600V 12Amp 68W TO220-3